Paralelisht me studimin e vetive të gjysmëpërçuesve, ka pasur edhe një përmirësim në teknologjinë e prodhimit të pajisjeve të bazuara në to. Gradualisht, u shfaqën gjithnjë e më shumë elementë të rinj, me karakteristika të mira të performancës. Transistori i parë IGBT u shfaq në 1985 dhe kombinoi vetitë unike të strukturave bipolare dhe të fushës. Siç doli, këto dy lloje të pajisjeve gjysmëpërçuese të njohura në atë kohë mund të "bashkohen" së bashku. Ishin ata që formuan një strukturë që u bë inovative dhe gradualisht fitoi popullaritet të jashtëzakonshëm midis zhvilluesve të qarqeve elektronike. Vetë shkurtesa IGBT (Tranzistorë Bipolar të Portës së izoluar) i referohet krijimit të një qarku hibrid të bazuar në transistorë bipolarë dhe me efekt në terren. Në të njëjtën kohë, aftësia për të punuar me rryma të larta në qarqet e fuqisë së një strukture u kombinua me një rezistencë të lartë hyrëse të një tjetre.
IGBT moderne është i ndryshëm nga paraardhësi i tij. Fakti është se teknologjia e prodhimit të tyre është përmirësuar gradualisht. Që nga shfaqja e elementit të parë me të tillëstruktura, parametrat e saj kryesorë kanë ndryshuar për mirë:
-
tranzistor igbt Tensioni i ndërrimit është rritur nga 1000V në 4500V. Kjo bëri të mundur përdorimin e moduleve të energjisë kur punoni në qarqet e tensionit të lartë. Elementet dhe modulet diskrete janë bërë më të besueshme në punën me induktivitetin në qarkun e energjisë dhe janë më të mbrojtur nga zhurma e impulsit.
- Rryma e ndërrimit për elementët diskretë është rritur në 600A në diskrete dhe deri në 1800A në dizajn modular. Kjo bëri të mundur ndërrimin e qarqeve të rrymës me fuqi të lartë dhe përdorimin e tranzistorit IGBT për të punuar me motorë, ngrohës, aplikacione të ndryshme industriale, etj.
- Rënia e drejtpërdrejtë e tensionit në gjendje ra në 1V. Kjo bëri të mundur zvogëlimin e sipërfaqes së radiatorëve largues të nxehtësisë dhe në të njëjtën kohë zvogëlimin e rrezikut të dështimit nga prishja termike.
- Frekuenca e ndërrimit në pajisjet moderne arrin 75 Hz, gjë që i lejon ato të përdoren në skemat novatore të kontrollit të makinës elektrike. Në veçanti, ato përdoren me sukses në konvertuesit e frekuencës. Pajisjet e tilla janë të pajisura me një kontrollues PWM, i cili punon së bashku me një modul, elementi kryesor në të cilin është një transistor IGBT. Konvertuesit e frekuencës po zëvendësojnë gradualisht skemat tradicionale të kontrollit të makinës elektrike.
-
kontrolli i tranzistorit igbt Performanca e pajisjes është rritur gjithashtu shumë. Transistorët modernë IGBT kanë di/dt=200µs. Kjo i referohet kohës së shpenzuar nëaktivizoj/çaktivizoj. Krahasuar me mostrat e para, performanca është rritur pesë herë. Rritja e këtij parametri ndikon në frekuencën e mundshme të ndërrimit, e cila është e rëndësishme kur punoni me pajisje që zbatojnë parimin e kontrollit PWM.
Qarqet elektronike që kontrollonin transistorin IGBT u përmirësuan gjithashtu. Kërkesat kryesore që u vendosën mbi to ishin sigurimi i kalimit të sigurt dhe të besueshëm të pajisjes. Ata duhet të marrin parasysh të gjitha dobësitë e tranzistorit, në veçanti, "frikën" e tij nga mbitensioni dhe elektriciteti statik.
